扫描电子显微镜SEM分析原理：用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象谱图的表示方法：背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等提供的信息：断口形貌、表面显微结构、薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等
扫描电子显微镜SEM应用范围：
1、材料表面形貌分析，微区形貌观察
2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析
3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析
扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单，不需要包埋和切片。
样品要求：
样品必须是固体；满足无毒，无放射性，无污染，无磁，无水，成分稳定要求。
制备原则：
表面受到污染的试样，要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗，然后烘干；新断开的断口或断面，一般不需要进行处理，以免破坏断口或表面的结构状态；要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干；磁性样品预先去磁；试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。
常用方法：
块状样品
块状导电材料：无需制样，用导电胶把试样粘结在样品座上，直接观察。块状非导电（或导电性能差）材料：先使用镀膜法处理样品，以避免电荷累积，影响图像质量。
IC失效分析实验室
智能产品检测实验室于2015年底实施运营，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供。